2007 10 取得台灣「自我對準溝渠式功率金氧半場效電晶體(MSOFET)U置及其製造方法」之發明專利(發明第I 287840號)
2005 10 取得美國「Lower the on-resistance in protection circuit of rechargeable battery by using flip-chip technology」之發明專利(美國發明第6,917,117號)
2005 10 取得大陸「功率金屬氧化物半黯體場效晶體管U置及其製造方法」之發明專利(大陸發明第ZL01144661.7號)
2005 5 取得台灣「降低功率金氧半場效電晶體(MOSFET)黯通電阻之封U打線改良U置」之新型專利(新型第M262837號)
2005 4 取得大陸「無焊線式半黯體U置及其封U方法」之發明專利(大陸發明第ZL02102821.4號)
2004 12 取得大陸「黯線架」之發明專利(大陸發明第ZL99123960.1號)
2004 5 取得台灣「利用防彪環(Guard Ring)連踇技術以達成功率半黯體元件積體電路化之方法及U置」之發明專利(發明第196136號)
2004 5 取得大陸「充電電池保護電路用功率場效R晶體管的斐髡wU方法」之發明專利(大陸發明第ZL01110591.7號)
2004 4 取得台灣「坨耐雪崩崩z電═艇韝U置,以及提坨元件耐雪崩崩z電═坐隤k」之發明專利(發明第194175號)
2003 12 取得台灣「改變功率電晶體閘極齛c改善其切鰴t度之方法」之發明專利(發明第182953號)
2003 9 取得台灣「無焊線式半黯體U置及其封U方法(一)」之發明專利(發明第176589號)
2003 7 取得台灣「洙相降◤洩蓮y電源鷑嗾膃X式封U構造」之新型專利(新型第199864號)
2003
5
取得台灣「用於降低黯通電阻之充電電池保護電路用功率電晶體的斐髡wU方法」之發明專利(發明第168017號)
2003
4
取得台灣「半黯體功率元件之封U方法及及其U置」之發明專利(發明第163944號)
2003
3
取得台灣「無焊線式半黯體U置及其封U方法(二)」之發明專利(發明第165175號)
2002
9
取得台灣「利用井區漸層式摻翷降低功率MOSFET漏電流及提昇崩z電═坐隤k及其U置」之發明專利
(發明第154006號)
2002
9
取得台灣「降低磊晶層電阻值之溝渠式功率MOSFETU置及其製造方法」之發明專利(發明第152521號)
2002
8
取得台灣「具有減少反向漏電流急變且提坨耐雪崩崩z電流能力之功率MOSFETU置及其製造方法」 之發明專利(發明第151542號)
2002
7
取得台灣「用於控制緣閘極耷極性電晶體(IGBT)U置切鰴t率之方法,以及緣閘極耷極性電晶體(IGBT)
U置及其製造方法」之發明專利(發明第151899號)
2002
6
取得台灣「低黯通電阻值功率MOSFETU置及其製造方法」之發明專利(發明 第151091號)
2002
6
取得台灣「在相同元件面積下以平面式技術取得具有溝渠式技術低黯通電阻值之功率MOSFETU置及其製造方法」之發明專利(發明第151089號)
2002
6
取得台灣「平面式超低黯通電阻值之功率MOSFETU置及其製造方法」之發明專利(發明第151088號)
2002
5
取得台灣「具有低踇觸電阻值之功率MOSFETU置」之新型專利(新型第185499號)
2002
4
取得台灣「降低黯通電阻值及增加耐雪崩崩z電流能力之功率MOSFETU置及其製造方法」之發明專利
(發明第147333號)
2002
3
取得台灣「利用烯子臚J技術提升功率MOSFET電晶體開懌速率之方法及其U置」之發明專利
(發明第145832號)
2002
3
取得台灣「溝渠式功率MOSFET之改良齛c及其製造方法」之發明專利(發明第144201號)
2001
4
取得台灣「坨功率電晶體在鱨R封U產品的黯線架設計(一)」之新型專利(新型第153576號)

返回. . . .

 
   

新北市中和區建一路92
電話:886-2-22233315 傳真:886-2-22227458
電子信箱:webmaster@cetsemi.com
Copyright (c) 2002 Chino-Excel Technology Corp. All rights reserved.
148粗き